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第397章 从四川资阳走出来的工程院院士、着名半导体技术专家罗毅

材料制备能力。

  博士阶段,他对量子阱能带结构的原子级精确计算,形成“从微观机制解决宏观性能”的研究路径。

  他坚持自主技术路线,如回国后力主发展增益耦合技术,突破国外主导的折射率耦合路径局限。

  他吸收日本“精益生产”理念,将实验数据精度要求提升至小数点后四位,并促成清华与住友电工等企业的技术合作,引入先进封装工艺。

  罗毅在日本企业工作经历,使他深刻理解“实验室成果—工程化—产业化”的鸿沟。

  回国后,他主导改造国产MBE设备,通过提升真空度(至5×10??Pa)将材料缺陷密度降低两个数量级。

  在技术路线选择上,他摒弃盲从,基于东京大学研究积累,他成功研发高成品率DFB激光器(单模率从10%提升至50%),相关成果获国家技术发明奖。

  总之,罗毅在清华的工程底蕴、东京的前沿探索与日本产业实践的叠加,使他兼具基础研究的深度(发表300余篇SCI论文)与产业转化的力度(授权专利34项)。

  这种“学术-技术-产业”的贯通式成长,使他在光电子芯片领域实现从跟跑到并跑的跨越。

  这印证了顶尖科学家的成就,往往源于多元教育资源的系统性赋能与时代需求的精准响应。

  院士从业之路

  1990年4月—1992年3月,罗毅在日本光计测技术开发株式会社中央研究所,担任研究员。

  1992年4月—1992年12月,罗毅担任清华大学电子工程系讲师。

  1992年12月起,罗毅担任清华大学电子工程系教授。

  1995年,罗毅获得国家杰出青年科学基金资助。

  1997年—2012年,罗毅担任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

  2021年,罗毅当选为中国工程院院士。

  从业之路解码

  罗毅院士的从业之路,对他后来成为院士产生了重要的影响。

  罗毅参与光通信模块封装项目,接触到日本企业“精益生产”体系。

  从MBE设备的真空度控制(提升至10??Pa)到量子阱材料缺陷密度优化(降低至10?cm?2),他亲身见证“实验室技术”到“量产产品”的1000米跨越。

  罗毅发现国外对关键工艺参数的严格保密(如外延层生长速率误差<1%),深刻体会到“技术主权”的重要性,为回国后坚持自主工艺路线埋下伏笔。

  罗毅回国后主导改造国产MBE设备,引入日本企业的真空优化方案(加装钛升华泵)。

  这使自主制备的InGaAsP材料性能接近国际水平,相关成果成为其申请国家杰出青年科学基金的核心支撑。

  罗毅将日本“产官学”合作模式本土化,促成清华与深圳某企业合作开发LED外延片。

  他通过优化图形化衬底技术,使蓝光LED发光效率提升15%,初步建立产学研协同方法论。

  罗毅从讲师到教授的身份转变,伴随“光电子集成器件实验室”的筹建。

  初期他带领5人团队,聚焦DFB激光器核心技术,通过“老带新”模式培养出首批科研骨干(如 later 成为长江学者的团队成员)。

  罗毅放弃当时热门的微电子专业,坚定选择光电子领域,提出“光通信芯片国产化”目标。

  罗毅获国家杰出青年科学基金后,将研究重点从单一器件转向“材料-器件-模块”集成体系,构建起完整的技术链条。

  罗毅推动实验室与中科院半导体所、吉林大学的跨区域合作,建立“材料生长-器件制备-系统测试”的全流程平台,设备国产化率从30%提升至60%。

  罗毅主导制定《半导体光电子器件可靠性测试方法》等5项国家标准,打破国外在测试认证领域的垄断。

  罗毅建立“青年教师-博士后-博士生”的梯度培养体系,培养出10余位国家级人才,形成光电子领域的“清华学派”。

  针对国外器件单模成品率低(10%)的缺陷,罗毅带领团队采用“增益耦合+电吸收调制器集成”技术,使国产器件成品率提升至50%,成本降低60%,2008年实现对中兴、华为的批量供货。

  罗毅突破“超宽带光谱匹配”难题,研发出国内首枚40Gb/s高速光芯片,使我国光通信核心器件与国际差距从5年缩短至2年,相关成果获2017年国家技术发明二等奖。

  罗毅与华为共建“光电子芯片联合研发中心”,采用“高校出专利、企业出场景”的模式,3年孵化12项产业化技术(如低功耗调制器芯片)。

  罗毅推动成立清华控股的光电子公司,将实验室技术转化为商用产品,2020年相关产品销售额突破2亿元,形成“学术-产业”闭环。

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  罗毅将日本的精细化研发、美国的基础研究范式,转化为“国产设备+自主工艺+市场导向”的中国方案。

  罗毅累计发表SCI论文367篇,h指数48,在IEEE光子学会等国际组织担任要职,建立中国光电子领域的国际话语权。

  从“八五”到“十四五”,罗毅持续承担国家重大科研项目,其研究始终对准“卡脖子”清单,如2019年启动的“硅基光电子集成”项目,直接服务于国产芯片自主

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